Specifiche del diodo LED SMD IR 810nm 3535
| Nome del prodotto | Diodo LED SMD IR 810nm 3535 |
| Numero di parte | GT-3535R805-1CC0-G1D2M |
| Marca di patatine | Epilessia di Taiwan |
| Marchio del produttore sull'etichetta |
Marchio GMKJ Prodotto da Guangmai Technology Co., Ltd, con sede nella città di Shenzhen, in Cina |
| Ingresso |
1,4-1,8vcc con IFmax 700mA |
| Flusso luminoso/radiante | 400-600 mW a 700 mA |
| Efficienza luminosa | Led infrarossi invisibili, nessun LM/W disponibile |
| Lunghezza d'onda/colore |
Lunghezza d'onda di picco 805-810 nm
Altre lunghezze d'onda disponibili qui nella lunghezza d'onda degli infrarossi: 730-740 nm; 805-810 nm; 830-835 nm; 845-855 nm; 900-910 nm; 940-950 nm;
Lunghezza d'onda SWIR disponibile in: 1040-1050 nm; 1060-1080 nm; 1200-1250 nm; 1300-1350 nm; 1400-1450 nm; 1500-1550 nm; 1570-1580 nm; 1600-1650 nm; |
| Energia |
1-3 Watt |
| Materiale della confezione |
Led smd in ceramica AL2O3, dimensioni 3,5x3,5mm |
| Angolo di illuminazione |
Angolo di illuminazione di 120 gradi, lente in silicone a cupola (stock normale, quantità piccola è OK) Angolo di illuminazione di 90 gradi, lente in silicone a cupola (MOQ 2000 pezzi) Angolo di illuminazione di 60 gradi, lente in silicone a cupola (MOQ 2000 pezzi) Angolo di illuminazione di 30 gradi, lente in silicone a cupola (MOQ 2000 pezzi) |
| Prezzo | Si prega di contattare GMKJ per il prezzo |
| Quantità minima di ordine |
Dipende dalla disponibilità in magazzino: Se disponiamo di scorte pronte per la spedizione, qui sono accettabili anche 100 pezzi a scopo di test dei campioni. Se non ci sono scorte, abbiamo bisogno di una quantità minima di ordine di almeno 1.000 pezzi con 1 confezione di rotoli. |
| Garanzia | 4 anni |
| Servizio dell'OEM |
1. Parti SKD disponibili; 2. In questo caso va bene un array di LED personalizzato con le dimensioni necessarie. |
| Numero di parte | Energia | Lunghezza d'onda | Marca di patatine | Inserisci le specifiche | ||
| GT-3535R700-G1D2 | 1-3W | 700-710 nm | Epilessia Taiwan 42mil | 2 V 700 mA | ||
| GT-3535R730-G1B7 | 1W | 730-740 nm | Epilessia Taiwan 27mil | 2 V 350 mA | ||
| GT-3535R730-S2D5 | 1-3W | 730-740 nm | Suggerito! Shilan 45mil, alta potenza ottica/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 2 V 700 mA | ||
| GT-3535R730-G1D2 | 1-3W | 730-740 nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 2 V 700 mA | ||
| GT-3535R750-G1D2 | 1-3W | 750-760 nm | Epilessia Taiwan 42mil | 2 V 700 mA | ||
| GT-3535R760-G1D2 | 1-3W | 760-765 nm | Epilessia Taiwan 42mil | 2 V 700 mA | ||
| GT-3535R780-G1D2 | 1-3W | 780-790 nm | Epilessia Taiwan 42mil | 2 V 700 mA | ||
| GT-3535R800-G1D2 | 2-3W | 800-810 nm, 400-600 mW | Epilessia Taiwan 42mil | 1,5 V massimo 1000 mA | ||
| GT-3535R800-1CS0-G1D2 | 4-6W | 800-810 nm, 800-900 mW | Epileds 42mil, Nano Stack alto mW/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 3 V massimo 1000 mA | ||
| GT-3535R830-G1D2 | 2-3W | 830-840 nm, 400-600 mW | Epilessia Taiwan 42mil | 1,5 V massimo 1000 mA | ||
| GT-3535R850-S2B6 | 1.5W | 845-855nm (suggerito) | Cina Shilan 26mil, alta mW/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,5 V massimo 500 mA | ||
| GT-3535R850-S2C6 | 2W | 845-855nm (suggerito) | Cina Shilan 36mil, alta mW/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,5 V massimo 700 mA | ||
| GT-3535R850-S2D2 | 3W | 845-855nm (suggerito) | Cina Shilan 42mil, alta mW/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,5 V massimo 1000 mA | ||
| GD-3535R850-S2D2 | 3-4W | 845-855nm (suggerito) | Cina Shilan 42mil, alta mW/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,5 V massimo 1500 mA | ||
| GT-3535R850-G1D2 | 2-3W | 845-855 nm, 400-600 mW | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,5 V massimo 1000 mA | ||
| GT-3535R850-1CS0-G1D2 | 3-5W | 845-855 nm, 800-900 mW | Taiwan Epileds 42mil, Nano Stack/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 3 V massimo 1000 mA | ||
| GD-3535R850-1CS0-S1D2 | 4-6W | 850-855 nm, 1500-1800 mW | China Sanan 42mil, Nano Stack/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 3 V massimo 1500 mA | ||
| GT-3535R880-G1D2 | 2-3W | 880-885 nm, 400-600 mW | Epilessia Taiwan 42mil | 1,5 V massimo 1000 mA | ||
| GT-3535R900-G1D2 | 2-3W | 900-910 nm, 400-600 mW | Epilessia Taiwan 42mil | 1,5 V massimo 1000 mA | ||
| GT-3535R940-G1B8 | 1W | 940-950 nm | Epilessia Taiwanese 28mil | 1,5 V 350 mA | ||
| GT-3535R940-G1D2 | 2-3W | 940-950 nm, 400-600 mW | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,5 V massimo 1000 mA | ||
| GT-3535R940-S1D2 | 2-4W | 940-950 nm (suggerito) 500-700 mW | Cina Sanan 42mil / 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,5 V massimo 1500 mA | ||
| GT-3535R940-1CS0-G1D2 | 3-5W | 940-950 nm, 800-900 mW | Taiwan Epileds 42mil, Nano Stack/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 3 V massimo 1000 mA | ||
| GD-3535R940-1CS0-S1D2 | 4-6W | 940-950 nm, 1500-1800 mW | China Sanan 42mil, Nano Stack/ 30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 3 V massimo 1500 mA | ||
| GT-3535R940-G1B8 | 1W | 940-950 nm | Epilessia Taiwanese 28mil | 1,5 V 350 mA | ||
| GT-3535R980-G1D2 | 1-3W | 980-985 nm | Epilessia Taiwan 42mil | 1,5 V 700 mA | ||
| GT-3535R1040-G1D2 | 1-3W | SWIR 1040-1050 nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,0-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1060-S1D2 | 1-3W | SWIR 1060-1070 nm | Cina Sanan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,0-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1060-G1D2 | 1-3W | SWIR 1060-1080 nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 1,0-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1200-G1D2 | 1-3W | SWIR 1200-1250 nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 0,8-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1300-G1D2 | 1-3W | SWIR1300-1350nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 0,8-1,4 V 700 mA | ||
| GT-3535R1400-G1D2 | 1-3W | SWIR 1400-1450 nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
| GT-3535R1500-G1D2 | 1-3W | SWIR1500-1550nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
| GT-3535R1575-G1D2 | 1-3W | SWIR 1575-1580 nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
| GT-3535R1630-G1D2 | 1-3W | SWIR1630-1650nm | Epilessia Taiwan 42mil/30 gradi, 60 gradi, 90 gradi, 120 gradi | 0,6-1,2 V 700 mA | ||
Diodo LED SMD IR 810nm 3535 pagimmagine
 |
 |
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Angolo di illuminazione di 120 gradi, lente in silicone a cupola di 120 gradi |
Angolo di illuminazione di 90 gradi, lente in silicone a cupola (MOQ 2000 pezzi) Angolo di illuminazione di 60 gradi, lente in silicone a cupola (MOQ 2000 pezzi) Angolo di illuminazione di 30 gradi, lente in silicone a cupola (MOQ 2000 pezzi) |
PCBA LED in alluminio assemblato da GMKJ (disegno PCB e distinta base forniti dai nostri clienti)
GMKJ dispone di una propria-linea di assemblaggio di schede PCB LED SMT, che comprende una macchina automatica per la raccolta e il posizionamento, una macchina per l'applicazione automatica della pasta saldante e un forno di rifusione ad alta temperatura.
Siamo in grado di eseguire l'assemblaggio di schede PCB LED per i nostri clienti se sono in grado di fornirci il disegno delle schede PCB e l'elenco delle distinte base delle schede PCB.
Dimensioni del diodo LED SMD IR 810 nm 3535
Diodo LED SMD IR 810nm 3535Specifiche elettriche
|
Parametro |
Simbolo |
Condizioni |
minimo |
Media |
Massimo |
Unità |
|
Tensione diretta |
VF |
IF=700 mA |
1.40 |
-- |
1.80 |
V |
|
Giunzione di resistenza termica A bordo |
RΘJ-B |
IF=700 mA |
-- |
6.5 |
-- |
gradoC/W |
|
RadianteFlusso |
Φe |
IF=700 mA |
400 |
-- |
600 |
mW |
|
Piccolunghezza d'onda |
λp |
IF=700 mA |
805 |
-- |
810 |
nm |
|
Corrente inversa |
IR |
VR=5V |
−− |
−− |
10 |
μ A |
|
Angolo di visione [1] |
2Θ1/2 |
IF=700 mA |
−− |
120 |
−− |
grado |
Perché i LED da 810 nm sono ampiamente utilizzati per la luce rossa terapeutica? Qual è il suo vantaggio rispetto alla lunghezza d'onda di 850 nm?
810 nm è comunemente usato nella terapia rosso/NIR principalmente perché è vicino a uno dei picchi di assorbimento degli enzimi mitocondriali (come la citocromo c ossidasi). In termini semplici, il corpo può "utilizzare" questa lunghezza d'onda in modo un po' più efficiente, quindi l'effetto di fotobiomodulazione è generalmente considerato più forte.
Rispetto a 850 nm:
Efficacia:
La tecnologia 810 nm è generalmente considerata più "biologicamente attiva", quindi viene spesso utilizzata in applicazioni di tipo più professionale o medico-.
Penetrazione:
850 nm possono penetrare leggermente più in profondità nei tessuti, mentre 810 nm sono ancora in profondità ma vengono assorbiti un po' di più lungo il percorso.
Efficienza:
I LED da 850 nm sono generalmente più efficienti e più facili da ottenere una potenza maggiore, motivo per cui sono molto comuni nei prodotti commerciali.
Visibilità:
850nm ha un debole bagliore rosso, mentre 810nm è quasi completamente invisibile.
Quindi in pratica:
810 nm viene spesso scelto quando l'attenzione è maggiormente rivolta alle prestazioni terapeutiche
850nm è ampiamente utilizzato quando l’efficienza, i costi e la potenza di uscita sono più importanti
Entrambi sono ampiamente utilizzati, solo con priorità leggermente diverse
È possibile scaricare la scheda tecnica da questa pagina per i LED SMD correlati.
Se hai bisogno di maggiori dettagli come prezzo, quantità minima dell'ordine, stato delle scorte e tempi di consegna, contatta direttamente GMKJ LED!
Siamo sempre qui per te!
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