Nel maggio di quest'anno, la King Abdullah University of Science and Technology (KAUST) ha annunciato lo sviluppo di un nuovo chip Micro LED a luce rossa basato su InGaN. L'efficienza quantistica esterna (EQE) è stata migliorata. I display a LED svolgono un ruolo importante nella promozione. Su questa base, KAUST ha recentemente fatto nuove scoperte.
Secondo i resoconti dei media stranieri, KAUST ha sviluppato chip Micro LED (μLED) in grado di emettere luce in modo efficiente nell'intero spettro di luce visibile, realizzando l'intero colore dei Micro LED. Al momento, articoli correlati del team KAUST sono stati pubblicati sulla rivista"Photonics Research".
Secondo i rapporti, la lega di azoto è una sorta di materiale semiconduttore, attraverso la corretta miscelazione chimica, può emettere tre colori di luce RGB, aiutando Micro LED a ottenere un display a colori RGB. Tuttavia, quando la dimensione del chip di nitruro viene ridotta al livello del micron, anche l'efficienza luminosa diventa più debole.
Il team di ricerca KAUST ha fornito una spiegazione dettagliata: l'ostacolo principale alla riduzione delle dimensioni del chip è che la parete laterale della struttura del LED sarà danneggiata durante il processo di produzione e il verificarsi di difetti causerà perdite, che influenzeranno l'emissione di luce del chip. E, man mano che le dimensioni si riducono, questo fenomeno diventerà più evidente, quindi la dimensione del chip LED è limitata a 400μm×400μm.
Tuttavia, il team KAUST ha compiuto un passo avanti in questo problema e ha sviluppato un chip micro LED rosso InGaN ad alta luminosità con una dimensione di 17 μm × 17 μm.
È stato riferito che il team di ricerca ha utilizzato una tecnologia di deposizione atomica completamente calibrata per sviluppare un array di micro LED a luce rossa 10 × 10 e attraverso un trattamento chimico per eliminare il danno alla parete laterale della struttura del chip LED. Attraverso osservazioni a livello atomico (sono necessari strumenti professionali e preparazione del campione), il team di ricerca ha confermato che le pareti laterali hanno un'elevata cristallinità dopo il trattamento chimico.
Secondo le osservazioni del team di ricerca, la potenza di uscita per area di 2 millimetri quadrati della superficie del chip è di 1,76 mW, mentre la potenza di uscita per area di 2 millimetri quadrati del prodotto precedente è solo di 1 mW. Al contrario, la potenza di uscita del nuovo prodotto è stata notevolmente migliorata, il che significa che l'efficienza luminosa quantistica esterna è notevolmente migliorata. Successivamente, il team di ricerca ha combinato il chip Micro LED a luce rossa con il chip Micro LED a luce blu e verde InGaN per produrre un dispositivo Micro LED con un'ampia gamma di colori.
KAUST ritiene che con i vantaggi dell'elevata luminosità, della velocità di risposta rapida, dell'ampia gamma di colori e del basso consumo energetico, InGaN Micro LED sarà la soluzione ideale per i monitor da testa Micro LED di prossima generazione, i telefoni cellulari, i televisori e altre apparecchiature. Nella fase successiva, il team KAUST migliorerà ulteriormente l'efficienza del Micro LED e ridurrà le dimensioni a meno di 10μm.
Vale la pena notare che Jingneng Optoelectronics ha anche compiuto progressi sulla strada per ottenere Micro LED a colori basati su InGaN.
Secondo la comprensione di LEDinside', Jingneng Optoelectronics ha sviluppato un chip Micro LED rosso a base di silicio e ha fabbricato con successo un array di Micro LED a base di GaN su un substrato di silicio con tre colori primari di rosso, verde e blu. Tuttavia, Jingneng ha anche ammesso che gli attuali metodi di test dell'efficienza quantistica esterna dei suoi chip Micro LED rossi devono essere ulteriormente ottimizzati.
In termini di dimensioni ridotte della tecnologia dei chip Micro LED, nel marzo di quest'anno, l'Università della California, Santa Barbara (UCSB) ha anche annunciato la prima dimostrazione di un chip Micro LED a luce rossa basato su InGaN con una dimensione inferiore a 10μm , ma affronta anche l'emissione di luce quantistica esterna. Il problema della bassa efficienza. È stato riferito che l'EQE misurato sulla misurazione del wafer di questo chip è solo dello 0,2%.
L'UCSB ha sottolineato che l'efficienza luminosa quantistica esterna di Micro LED deve raggiungere almeno il 2-5% per soddisfare i requisiti dei display dei terminali. Il prossimo piano della UCSB'è quello di migliorare la qualità dei materiali e ottimizzare le fasi di produzione per ottenere un aumento dell'efficienza quantistica esterna.
Si può notare che i team di ricerca hanno ancora molta strada da fare per promuovere la full color e la commercializzazione dei Micro LED. Ma la buona notizia è che, rispetto agli anni precedenti, i progressi compiuti da tutte le parti nella tecnologia Micro LED quest'anno hanno un ruolo chiave nella promozione dell'industria Micro LED e i prodotti terminali sono gradualmente emersi, il che significa che produttori e consumatori stanno abbandonando Micro LED e un po 'più vicino.
